综合

当前位置/ 首页/ 综合/ 正文

KIOXIA开始为移动设备采样容量高达1TB的UFS3.1存储芯片

导读 通用闪存(UFS)是当今大多数旗舰和中高端智能手机中使用的闪存标准。2019年推出的大多数旗舰设备均具有UFS 2.1 NAND存储功能,而OnePlus ...

通用闪存(UFS)是当今大多数旗舰和中高端智能手机中使用的闪存标准。2019年推出的大多数旗舰设备均具有UFS 2.1 NAND存储功能,而OnePlus 7系列,三星Galaxy Fold,Galaxy Note 10系列和Realme X2 Pro等一些手机则选择了最新的UFS 3.0标准。在今年早些时候宣布UFS 3.1标准之后,我们希望看到更多制造商在其旗舰设备中使用最新标准。但是,三星和Realme都没有在其2020年旗舰产品中包括UFS 3.1存储。出人意料的是,Vivo的子品牌iQOO率先采用了新标准,并且最近推出了iQOO 3。是第一款具有UFS 3.1存储功能的智能手机。尽管其他制造商的采用速度缓慢,但KIOXIA最近发布的公告可能最终使UFS 3.1成为主流。

KIOXIA America(前身为Toshiba Memory America)今天宣布已开始为移动设备提供UFS 3.1存储芯片的样品。不知不觉中,KIOXIA America是KIOXIA Corporation(以前称为东芝存储公司)在美国的子公司,KIOXIA Corporation是移动设备存储的领先供应商。根据报告,KIOXIA的新存储系列将利用其最先进的BiCS FLASH 3D闪存,将提供四种容量-128GB,256GB,512GB和1TB。这意味着我们不仅应该在今年晚些时候看到更多制造商采用新标准,而且还将看到一些具有大容量1TB内部存储的高端设备。

KIOXIA America托管闪存产品总监Scott Beekman在有关该声明的声明中说:“ KIOXIA是2013年第一家推出UFS的公司,也是去年第一家提供UFS Ver 3.0的公司,我们将继续此版本的UFS内存的最前沿。今天宣布3.1版…我们的最新产品使下一代移动设备能够充分利用5G的连接优势,从而加快下载速度并减少延迟时间,并改善用户体验。” 该报告进一步揭示了新产品系列中提供的所有四种设备将包括以下功能:

WriteBooster可显着提高写入速度(超过2-3倍UFS 3.0)

改进的顺序读取性能(比UFS 3.0高30%)

主机性能增强器(HPB)通过利用主机侧内存来提高随机读取性能。

UFS-DeepSleep功耗模式可减少睡眠模式下的功耗。

性能节流事件通知,以防止内部温度达到上限时过热和损坏设备电路。

免责声明:本文由用户上传,如有侵权请联系删除!